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SIHD7N60E-GE3中文资料

  • 大小：218KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 3.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：680pF @ 100V
  • 功率 - 最大：78W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：散装

SIHD7N60E-GE3供应商

更新时间:2023-01-31 05:10:14
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